0.35μm BiCMOS工艺的器件建模

苏海伟; 杨立斌; 唐威; 吴龙胜; 刘佑宝

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0.35μm BiCMOS工艺的器件建模

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针对0.35μm BiCMOS工艺的MOS及Bipolar晶体管器件,分析其结构特征及相应物理效应,选取相应的晶体管器件理论模型,确定了样管测试条件和方法,设计了测试结构及模型验证环振电路,完成用于试验流片及参数提取的测试版芯片的设计,最终利用测试芯片的测量数据提取模型参数,分别建立高精度的MOS及Bipolar器件SPICE模型.

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来源
《微电子学与计算机》 |2009年第3期|81-85|共5页
作者
苏海伟; 杨立斌; 唐威; 吴龙胜; 刘佑宝;
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作者单位

西安微电子技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件 ;
关键词
BiCMOS; BSIM; GP;

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