机译:高性能0.35- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术,针对0.6- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术的产品移植进行了优化
机译:在0.35-0.13 / spl mu / m技术的窄通道CMOS器件中,通道长度对通道宽度的依赖性
机译:使用0.35μm硅CMOS技术中具有恒定gm的沟道长度分离器件设计级联LNA
机译:用于太空仪器的0.35μm低温CMOS技术BSIM3.3模型:在电压参考设计中的应用
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:通过覆盖层的氧化作用进行低温处理的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件
机译:80-100 V低端横向双扩散金属氧化物半导体器件,侧面隔离为0.35μmCMOS兼容过程
机译:高温对CmOs(互补金属氧化物半导体)器件中闩锁和误码的影响。