外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响

摘要

综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素,如场强及分布等。结果表明,相对于无电场时,适当强度的电场可显著加快金属诱导横向结晶的速率,场强超过某一临界值则降低该速率,并基于电迁移效应作了较好的解释。对Cu诱导a-Si薄膜横向结晶,在同样条件下,直交流混合电场比单纯的直流电场能引发更高的结晶速率。