非晶硅的金属诱导结晶和金属吸除技术

摘要

本发明讲述的是通过非晶硅的金属诱导结晶制备高质量，大面积多晶硅薄膜的技术。此技术需要对起始的非晶硅薄膜引入可控量的诱导结晶金属元素；第一个低温热处理引起金属诱导结晶成核现象并形成很小的多晶硅“岛”；在此部分晶化薄膜材料上形成金属吸除层；金属诱导结晶过程经过第二个低温热处理完成，并形成所期望的多晶硅薄膜；金属吸除层在完成结晶热处理之后可以随意去掉。