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杨志峰; 陈静; 孙佳胤; 武爱民; 王曦;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;
SOI; GaN; 热膨胀系数; 热应力;
机译:Si衬底上生长的GaN外延层的层间结构设计和热应力分析
机译:计算在具有重要技术意义的衬底上生长的GaN外延层中的残余热应力
机译:计算在重要技术衬底上生长的GaN外延层中的残余热应力
机译:硅基衬底上GaN外延层中热应力的模拟
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:分析在特定培养基中在细胞外基质上体外生长的胸腺基质细胞亚群。三人胸腺上皮细胞的生长条件及其培养上清液中的免疫调节活性。
机译:AlInN层在光学监测独立式GaN衬底上GaN基结构的生长中的用途
机译:磁场和电场中锑化物基复合半导体晶体熔体生长的渐近分析。
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:外延生长用基板,GaN基半导体膜的制造方法,GaN基半导体膜,GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
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