有限元分析法在SOI基微环谐振器设计中的应用

摘要

利用有限元法(FEM)分析了大横截面SOI(Silicon-on-insulator)脊型波导的本征模式分布,确定了脊型波导的单模条件.在保证单模传输的情况下,模拟了SOI微环谐振器中波导耦合器的耦合长度、功率耦合系数与波导尺寸和间距的关系.模拟结果表明:对于W=1μm,H=2μm的SOI脊型波导耦合器,耦合长度Lc随波导间距d的增加而增大,功率耦合系数随之减小.在波导间距d0.8 μm时,耦合长度Lc随r的增加而减小.模拟结果为SOI微环谐振器的设计和应用提供了理论依据.