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刘震云;
分析技术; 薄膜; 约化分布函数; 非晶材料;
机译:晶界处电位波动的能量过滤模型中简并n型多晶InAsP薄膜电导率的温度依赖性分析
机译:通过使用中频脉冲偏置电压通过过滤的阴极真空电弧源通过滤光机真空电弧沉积在介电材料上沉积的四面体非晶碳薄膜的残余应力
机译:电子衍射柱加热薄非晶Tib_2薄膜的晶化
机译:非晶和多晶材料结构的电子衍射研究
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:通过辉光放电光谱研究掺杂元素来表征非晶硅薄膜。电导率和带隙能量测量的相关性
机译:多晶硅和非晶薄膜的电子衍射分析
机译:非晶si / sub X / C / sub 1-X /:H的局域原子排列电子能量损失谱和电子衍射
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译:包含非晶和多晶铁电薄膜的电容器及其制造方法和形成非晶铁电薄膜的方法
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