多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法，属于薄膜太阳能电池技术领域，现有金属诱导法结晶速率较慢，本发明是在基板上自下而上依次沉积硅化钛纳米线层和非晶硅薄膜层，由所述的硅化钛纳米线层诱导非晶硅薄膜层结晶成为多晶硅薄膜层，由此形成基板、硅化钛纳米线与多晶硅薄膜共存的过渡层、多晶硅薄膜层三层复合结构的多晶硅薄膜。本发明以硅化钛纳米线作为诱导剂，一方面，更容易诱导非晶硅薄膜晶化，晶化温度更低；另一方面，硅化钛纳米线巨大的比表面积，使诱导层有非晶硅之间的接触面积增大，非晶硅晶化初始阶段，形核数目增加，结晶速率得到极大地提高，整个结晶过程在2至4小时。