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李静强; 杨瑞霞; 冯震; 邱旭; 王勇; 冯志红; 默江辉; 杨克武; 张志国;
河北工业大学;
天津300130;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
石家庄050051;
西安电子科技大学微电子学院;
西安710071;
氮化铱; 高迁移率晶体管; 阻抗; 内匹配;
机译:效率为60%,输出功率为30W X波段功率放大器,效率为33%,输出功率为100W Ku波段功率放大器,采用0.15μmGaN HEMT
机译:X波段GaN功率放大器,具有8%的工作频带,30W输出功率/ 60%PAE,使用GaN HEMT且栅长为0.15μm
机译:具有GaAs MMIC输出匹配电路的低成本30W类X波段GaN-on-Si MMIC功率放大器
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:以AlGaN / GaNHEMT为重点的大功率半导体器件的设计和建模
机译:X波段和Ku波段振荡器高功率传输电子效应器件的研制
机译:大功率L波段微带匹配负载-在mumetal外箔和内金属条之间具有电介质吸收器
机译:低功率电动机-壳体由两个相同的半壳组成,铁磁元件与壳体的内表面相匹配
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