辉光功率对VHF-PECVD制备的硅基薄膜特性的影响(英文)

摘要

本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品。喇曼测试结果显示 :在不同硅烷浓度 (SC)条件下 ,非晶到微晶的过渡区发生在不同的功率点 ;暗电导随晶化率也体现出不同的变化 ,此结果表明不同SC、不同功率制备样品的结构特性和电学特性的内在规律是不同的 ;另外 ,扫描电子显微镜的测试结果表明样品的表面呈“菜花”状和剖面为柱状的结构特征。