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宋任儒; 阮刚; 肖夏; Reinhard Streiter; Thomas Otto; Thomas Gessner;
复旦大学电子工程系;
Chemnitz技术大学微工艺中心;
集成电路; VLSI; 互连线; 优化设计;
机译:评估优化亚阈值设计的途径:深亚微米和超深亚微米区域中的比例大块nMOSFET
机译:在深亚微米(DSM)VLSI电路中权衡瞬态容错能力和功耗
机译:深亚微米技术中低功率VLSI电路的功率优化技术概述
机译:深亚微米VLSI中互连线串扰故障的统一检测方法
机译:深亚微米VLSI电路中的功率优化:从系统级到电路级
机译:亚微米深流体通道中绝缘介电电泳引起的DNA大分子的尺寸依赖性轨迹
机译:高度优化的高吞吐量,低延迟LDPC解码器的深亚微米全定制VLSI设计
机译:使用深亚微米超大规模集成(VLsI)技术的认知处理器设计的性能和功耗优化
机译:逻辑块混合低阈值电压MOSFET器件和普通阈值电压MOSFET器件,用于深亚微米VLSI设计
机译:用于深亚微米方案的VLSI设计的混合低和常规V.t.t MOSFET器件的逻辑模块
机译:低阈值电压MOSFET器件的逻辑块,用于深亚微米形式的VLSI和正常阈值电压MOSFET器件的设计
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