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杨帅; 陈贵锋; 王永;
天津理工大学理学院;
河北工业大学材料科学与工程学院;
唐山海泰新能科技有限公司;
直拉硅; 中子辐照; 非晶区; 空位型缺陷;
机译:快中子辐照直拉硅中VO缺陷的红外吸收光谱研究
机译:低能质子研究直拉硅,浮区硅和含氧浮区硅的辐射硬度
机译:使用瞬态电流技术的辐照磁直拉和浮区硅探测器之间的比较
机译:高温退火后快中子辐照氮掺杂的直拉硅的缺陷
机译:快中子辐照硅正P-N-正N二极管电容特性的深陷阱模型的建立。
机译:通过衬底控制和离子辐照增强非晶硅薄膜的光吸收
机译:脉冲激光辐照中非晶硅的时间分辨X射线吸收研究
机译:利用热刺激电流光谱仪研究高能量快中子辐照的高电阻率硅探测器的深能级
机译:水中非晶硅的洗脱方法及非晶硅的洗脱装置
机译:光电导配准元件-包括带有非晶层的载体,该非晶层具有第一硅和锗contg。区和第二光电导硅续。区
机译:激光辐照装置,使用该辐照装置的辐照方法以及使用该辐照装置结晶非晶硅膜的方法
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