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机译:使用瞬态电流技术的辐照磁直拉和浮区硅探测器之间的比较
CERN, PH-Department, CH-1211, Geneva 23, Switzerland;
transient current technique; magnetic czochralski silicon; effective trapping times;
机译:电场对浮球区和磁性Czochralski硅粒子探测器的辐射耐受性的影响
机译:1-MeV中子等效注量监测的不同几何形状的正向偏置浮动区和磁性直拉硅探测器的辐射响应
机译:强烈辐射的Czochralski硅(MCz-Si)条形检测器的测试光束结果
机译:放射性标准浮子区(FZ)和磁性COOCHRALSKI(MCZ)硅二极管在放射疗法电子束剂量测定中的比较
机译:通过涡流技术原位确定切克劳斯基硅晶体生长过程中的热分布。
机译:磁共振成像兼容的用于磁性组织光谱的光学探测器的比较:光电二极管与硅光电倍增管
机译:1-MeV中子等效注量监测的不同几何形状的正向偏置浮动区和磁性直拉硅探测器的辐射响应