P-Ge_(0.05)Si_(0.95)/P-Si异质结的I-V特性和光响应

摘要

在P型（100）Si衬底上，采用MBE法生长一层厚约2．5μm的P-Ge0.05Si0.95，形成P-GeSi／P－Si异质结。测试了它的I一V特性，并用双肖特基二极管模型进行了分析，两者大体符合。测试还发现，在白光强度和爱光面积相同的情况下，P－Ge0.05Si0.95／P－Si异质结的光响应电流是SiPIN结构的7-8倍。