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可提高光刻分辨率的新技术

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摘要

详细研究了离轴掩模的原理 ,将离轴照明 (OAI)与相移掩模 (PSM)技术结合起来 ,在掩模上同时实现两种功能 ,较大程度地提高了光刻分辨力 .实验表明 ,在数值孔径 0 .42 ,i线曝光波长下 ,可将光刻分辨力从 0 .8μm提高到 0 .5μm.

著录项

来源
《光子学报》 |2000年第9期|834-837|共4页
作者
罗先刚; 姚汉民; 周冲喜; 冯伯儒; 陈旭南;
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作者单位

中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类大规模集成电路、超大规模集成电路;
关键词
离轴照明; 相移掩模; 光刻分辨力; 大规模集成电路;

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