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张万荣; 李志国; 郭伟玲; 孙英华; 穆甫臣; 程尧海; 沈光地; 罗晋生;
北京工业大学电子工程系;
西安交通大学微电子研究所;
异质结; 晶体管; 设计; GBT; 双极晶体管;
机译:关于用于77 K应用的外延Si基和SiGe基双极技术的轮廓设计和优化。一,晶体管直流设计注意事项
机译:基于计算和实验方法的应变SiGe沟道p-MOSFET的Si盖层优化设计
机译:Si / SiGe异质结太阳能电池的优化设计与理论分析
机译:优化设计的ZnO:Al / c-Si / SiGe / c-Si太阳能电池光阱效应的解析模型
机译:Si / SiGe太赫兹二极管的分析和设计。
机译:具有T形栅极的高性能Si / SiGe异质结隧穿FET的设计
机译:用于低功耗应用的极短通道分级Si / SiGe异质结隧道场效应晶体管的设计优化
机译:si和siGe合金的气源分子束外延中的表面过程(Gas Bron moleculaire Bundel Epitaxie van si en siGe Legeringen中的Oppervlakte processen)
机译:3D:Si SiGe Ge原子层刻蚀3D结构:水平和垂直表面上的SI和SIGE和GE光滑度
机译:具有嵌入式SiGe源极/漏极的伪型Si / SiGe / Si体器件
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