PCVD氮化硼膜形成过程及表面形貌的分析

摘要

采用红外分析、金相技术及和透射电子显微（ＴＥＭ）技术分析了射频ＰＣＶＤ法沉积氮化硼膜的形成过程。结果表明，在沉积过程中，非晶态氮化硼（ａＢＮ）作为领先相首先按平面方式生长，然后立方氮化硼（ｃＢＮ）在其上成核，并靠沉积原子表面迁移过程而长大，这种过程交替进行的结果，使膜层由ａＢＮ和ｃＢＮ组成。膜层的表面呈层状＋胞状形貌，说明薄膜的生长不仅取决于固体表面的扩散。