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侯丽丽; 韩勤; 李彬; 王帅; 叶焓;
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;
中国科学院大学电子电气与通信工程学院;
中国电子科技集团公司第四十四研究所化合物半导体光电子事业部;
雪崩光电二极管; 光探测器; 离化积分; 电场击穿; 刻蚀; 反应离子刻蚀; 盖革计数;
机译:正弦门盖革模式InGaAs / InP APD的时序响应
机译:不同刻蚀工艺对平面InP / InGaAs雪崩光电二极管边缘击穿抑制的影响
机译:保护环对InGaAs / InP雪崩光电二极管边缘击穿抑制的影响的仿真研究
机译:InGaAs / InP和InGaAsP / InP盖革模式雪崩光电二极管的质子辐照
机译:一种模式指导的硬木原木击穿决策自动化方法
机译:有望抑制腹股沟静脉曲张复发的平股Sa股韧带结扎的新方法:使用撕脱技术方法进行平lush结扎
机译:化学束外延在平面型上的多堆叠INP / INGAAS的选择性外延生长
机译:惰性气体添加剂种类对Cl(2)化合物半导体高密度等离子体刻蚀的影响:第二部分。 Inp,Insb,InGap和InGaas;应用表面科学
机译:干法刻蚀与InP匹配的InAlAs和InGaAs晶格的方法
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