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肖雪芳; 杨国华; 王国宏; 王树堂; 陈良惠;
中国科学院半导体研究所;
边缘击穿; 雪崩光电二极管; 结构;
机译:保护环对InGaAs / InP雪崩光电二极管边缘击穿抑制的影响的仿真研究
机译:不同刻蚀工艺对平面InP / InGaAs雪崩光电二极管边缘击穿抑制的影响
机译:平面型IngaAs / InP光电探测器的Zn扩散INP层的光学性质
机译:通过建模分析抑制InP / InGaAs雪崩光电二极管的过早边缘击穿
机译:AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管的击穿行为和优化。
机译:哌醋甲酯和阿托莫西汀通过大鼠额叶前和皮层下边缘机制抑制社交游戏行为
机译:用于JLC / NLC的高相位提前失谐线性加速器的偶极硅场抑制设计旨在最大限度地减少电击穿和累积BBU
机译:具有边缘击穿抑制功能的雪崩光电二极管
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