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中国科学院半导体研究所第一研究室砷化镓单晶组;
位错; 晶体缺陷; 晶面; 面(晶体); 晶种; GaAs; 晶体; 异质成核; 组分过冷;
机译:垂直梯度冻结法生长GaAs晶体中的位错产生
机译:金属有机化学气相沉积法在GaAs衬底上生长高质量In_(0.5)Ga_(0.5)As和In_(0.3)Ga_(0.7)As的变质InGaAs / GaAs中的螺纹位错阻塞
机译:位错密度非常低的大型GaAs和InP块状晶体中位错的类型和起源
机译:全固体源分子束外延生长GaAs_(1-x)N_x的生长过程和位错产生的控制
机译:砷化镓晶体生长过程中位错产生的预测。
机译:晶体生长和溶解过程中位错传播的三维成像
机译:由分子束外延生长的InGaAs / GaAs异质结构中非均匀位错产生的错位及其临界厚度
机译:用分子束外延法控制si(211)上生长的Gaas中的位错
机译:垂直温度梯度降低法减少GaAs单晶生长中的位错
机译:在同质外延生长过程中螺钉位错的横向运动和由此产生的装置不受螺钉位错的有害影响
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