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郭宝增;
河北大学电子系;
分子束外延; MBH; 生长技术; 半导体;
机译:金属有机蒸气相外延(MOVPE),氢化物(或卤化物)蒸气相外延(HVPE)和分子束外延(MBE)生长的III型氮化物的热力学分析
机译:螺旋溅射分子束源的分子束外延(MBE)生长的SiC层的表面性能
机译:分子束外延(MBE)的GaAs平面技术
机译:使用改进的分子束外延的单个基板上的铁电固溶液,Pb(Zr 1-X / IM> TI X / INM>)O 3 IM> MBE)技术
机译:用于激光二极管的稀土掺杂氮化镓的分子束外延(MBE)生长。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:用Helicon溅射分子束源通过分子束外延(MBE)生长的SiC层的表面特性
机译:改进的分子束外延(mBE)生长HgCdTe
机译:分子束外延(MBE)HgCdTe生长的基质
机译:分子束外延(MBE)HGCDTE生长的基板
机译:分子束外延(MBE)HGCDTE生长的基质
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