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张万荣; 王扬; 金冬月; 谢红云; 肖盈; 何莉剑; 沙永萍; 张蔚;
北京工业大学电子信息与控制工程学院;
SiGe/Si; 异质结晶体管; 温度特性;
机译:在基极和集电极之间具有未掺杂SiGe隔离层的高速Si / SiGe HBT的直流特性和稳定性
机译:Si / SiGe功率HBT的动态表征
机译:极端温度下质子辐照的SiGe功率HBT的实验表征
机译:直流功率特性与温度的关系及其在微波功率Si / SiGe / Si HBT中的意义
机译:Si / SiGe HBT工艺中的超高速数据转换器构建块。
机译:SiGe HBT局部应力过程中Au / Pt / Ti-Si3N4界面缺陷和反应的STEM纳米分析
机译:Si / SiGe n-MOSFET的高频特性:取决于栅极长度和温度
机译:加速寿命测试中siGe / si HBT的长期可靠性
机译:SOI横向Si发射极SiGe基HBT的制造方法
机译:制造SOI横向Si-Simiter SiGe基HBT的方法
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