HgCdTe光导芯片室温电阻率不稳定问题探讨

摘要

集中讨论 MCT 光导芯片电阻率随时间变化的问题。研究结果表明:MCT芯片中 Hg 原子的逐渐逸出导致了材料组分即 x 值随时间变化,这是芯片室温电阻率变化的主要原因;另外,在某些条件下(如加温),芯片表面可形成高浓度的 n 型载流子薄层,也将引起芯片的室温电阻率的变化。