808 nm In GaAsP-InP单量子阱激光器热特性研究

张永明; 钟景昌; 路国光; 秦莉; 赵英杰; 郝永芹; 姜晓光

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808 nm In GaAsP-InP单量子阱激光器热特性研究

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从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP-InP单量子阱激光器热特性进行了研究·实验表明,在23-70℃的温度范围内,器件的功率由1.74W降到0.51W,斜率效率由1.08W/A降到0.51W/A·实验测得其特征温度T0为325K·激射波长随温度的漂移dλ/dT为0.44nm/℃·其芯片的热阻为3.33℃/W·

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来源
《光子学报》 |2006年第1期|9-12|共4页
作者
张永明; 钟景昌; 路国光; 秦莉; 赵英杰; 郝永芹; 姜晓光;
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作者单位

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
单量子阱激光器; 808; nm; InGaAsP-InP热特性; 特征温度;

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