掺V_2O_5对SnO_2气敏性能的影响

摘要

研究了修Ｖ２Ｏ５对ＳｎＯ２元件电阻和稳定性的影响．掺杂后，稳定性提高但灵敏度下降；掺杂量＜０．５６ｗ．％肘，电阻降低；掺杂量＞０．５６ｗｔ％肘，电阻上升．利用量子化学分析机理．结果表明：由于Ｖ５＋的掺入，提高了ＳｎＯ２晶胞前线轨道及材料的稳定性；在掺杂量少时，由于氧原子的空穴态和锡原子的电子态增加，使材料的电阻下降，在掺杂量多时，因电子输运轨道受阻导致电阻增大．