Ⅲ-Ⅴ族化合物的电化学C-V测量

摘要

本文概述了常规耗尽层 C-V 分布中,可达深度和深度分辨率的基本限制。特别讨论了电化学 C-V 分布的实际技术和应用。列举了 PN4200自动描绘的Ⅲ-Ⅴ族化合物 GaAlAs/GaAs、InGaAsP/InP 多层异质结构的载流子浓度分布曲线,并分析了液相外延生长中 Zn 掺杂的特性。同时,还分析了测量精确度和深度分辨之间的关系,并考虑了电解液、接触面积、串联电阻和深态的影响。最后,叙述了电化学 C-V 技术在测量光电压谱和量子阱结构方面的应用。