多晶硅化学气相沉积反应的三维数值模拟

摘要

建立了多晶硅化学气相沉积反应的三维模型，同时考虑质量、能量和动量传递，利用CFD软件对炉内的流动、传热和化学反应过程进行了数值模拟，并分析了硅沉积速率、SiHCl，转化率、硅产率以及单位能耗随H2摩尔分数的变化规律。结果表明：计算结果与文献数据吻合较好；随着硅棒高度的增加，硅沉积速率不断增大；最佳的进气H2摩尔分数范围为0．8～0．85。