X波段单片低噪声放大器芯片

摘要

报道了X波段 0 .5 μmGaAsPHEMT全单片低噪声放大器芯片。该放大器芯片由四级级联放大电路构成。芯片面积为 2 .43× 1.85mm2 。该放大器芯片在通带内测试结果为 :在工作条件VD=5V(ID≤ 10 0mA)下 ,增益 >2 6dB ,噪声系数≤ 2 .2dB ,输入、输出电压驻波比 <1.6∶1,平坦度≤± 1dB ,1dB压缩功率≥ 15dB·m ,相位一致性≤± 3°,幅度一致性≤± 0 .5dB。芯片尺寸为 2 .43mm× 1.85mm。