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W波段单片低噪声放大器

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本文设计了一款W波段单片低噪声放大器(LNA),采用100nm In0.52Al0.48As/In0.53Ga047A GaAs MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)工艺.该MMIC LNA采用4级放大电路结构,器件栅宽为2×20um,电路版图联合仿真结果表明该LNA在75-100GHz频带内,输入输出回波损耗均大于5dB,噪声系数小于5dB,增益大于17dB,带内增益平坦度小于1.5dB,W波段全频带内增益大于12dB.芯片面积为2.6mm×1.6mm.

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来源
《2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议》|2014年|113-115|共3页
会议地点湖南常德
作者
张健; ZHANG-jian; WANG-lei; 王磊; WANG Wei-bo; 王维波; CHENG-wei; 程伟; KANG Yao-hui; 康耀辉; LU Hai-yan; 陆海燕; LI Ou-peng; 李欧鹏; GU Guo-hua; 谷国华; 王志刚; WANG Zhi-gang; XU Rui-min; 徐锐敏;
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作者单位

中国电子学会微波分会;

高功率微波技术重点实验室;

天线与微波技术重点实验室;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN722.3:TN702;
关键词
W波段单片低噪声放大器; 渐变组分高电子迁移率晶体管; 电路设计; 仿真分析;

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