用正电子湮没寿命谱学法研究DKDP单晶缺陷形成机理

摘要

本文首次用正电子湮没寿命谱学法研究 DKDP 单晶生长缺陷形成的机理,说明了正电子湮没技术是检测离子型晶体缺陷的有力手段。