CVDAl_2O_3-SiO_2系氧化物及其机理分析

摘要

研究了AlCl3-SiCl4-H2-CO2气相系统不同温度化学气相沉积Al2O3-SiO2系氧化物相组成及显微结构,分析了化学气相沉积过程机理。结果表明,CVD过程不能实现Al-Si化合物的均匀混合,不同温度沉积产物为不同变体Al2O3结合非晶SiO2或其固溶体复合氧化物,1 050℃以下,随沉积温度提高,沉积物颗粒尺寸减小,1 050℃可沉积出晶化较为完全的莫来石结合-Al2O3,i-Al2O3和非晶SiO2致密涂层。