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刘雪飞; 吕兵; 罗子江;
贵州师范大学物理与电子科学学院;
贵阳550025;
贵州财经大学信息学院;
二维BN; n型掺杂; 第一性原理; 带电缺陷计算; 电荷转移能级;
机译:二维氮化镓N-和P型掺杂的探讨:第一种原理的带电缺陷计算
机译:基于第一性原理量子化学计算的硫族化物半导体玻璃中的辐射诱导键转换:关于偶极型带电配位缺陷的作用
机译:电场存在下表面,界面和二维材料上带电缺陷的第一性原理计算
机译:NiGe / N型Ge接触掺杂掺杂的肖特基势垒高度的第一性原理计算
机译:地球上大量光伏材料中的光电和缺陷特性:第一性原理计算
机译:改善基于石墨烯的量子电容掺杂和共掺杂的超级电容器:第一性原理计算
机译:受主掺杂铅中缺陷偶极子的形成与转换 钛酸盐:基于第一性原理计算的动力学模型
机译:2H-,3C-和4H-siC多型体中点缺陷的第一性原理计算。
机译:基于混合第一性原理和推论模型的因果关系分析计算机系统和方法
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