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赵谢群; 张燕红; 邱向东; 孙晋伟;
北京有色金属研究总院;
北京科技大学;
薄膜; 外延生长; 活化氮源; 氮化镓;
机译:前体组合物对MOCVD工艺生长氮化镓薄膜微观结构的实验研究
机译:氮化工艺对RF-MBE在AlGaAs缓冲层上生长立方立方氮化镓薄膜质量的影响
机译:氮化镓的外延侧向过度生长(ELO)工艺的扫描电子显微镜和阴极发光研究
机译:薄膜氮化镓LED工艺的研究和问题
机译:使用常规和五极外延生长工艺在氢(6)-碳化硅(0001)和硅(111)衬底上生长氮化镓和氮化铝镓薄膜。
机译:使用顺序表面反应在室温和100°C下电子增强结晶氮化镓薄膜的生长
机译:数值分析预测氮化镓薄膜生长的简化机理模型研究
机译:镓弧蒸发系统氮化镓气相氮化物生长氮化镓的研究。
机译:氮化镓基晶粒生长方式与氮化镓基化合物半导体的研究
机译:氮化物生长衬底,特别是用于光电子器件中氮化镓的异质外延沉积,是通过粘合生长衬底和支撑衬底的柔顺薄膜并减薄生长衬底而制成的
机译:氮化镓薄膜模板基板,氮化镓薄膜模板基板和氮化镓薄膜单晶的制造方法
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