p－GeSi／n＋－Si异质结电光调制器

摘要

文章介绍了硅基光电子器件——ｐ－ＧｅＳｉ／ｎ＋－Ｓｉ异质结电光调制器的初步试验研究之后，给出了所研制调制器的调制深度为９０％时的调制电流约１８０ｍＡ。为了进一步减小调制电流和提高调制频率。