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张爱珍;
北京半导体器件研究所;
TaSi/Si膜; 氧化; 常压; 高压;
机译:在绝缘体上的Si和石英玻璃基板上的Si上生长的(100)取向硅和镍硅化物纳米复合膜的热电性能
机译:Si(100)衬底上具有掩埋的二硅化铁纳米晶体的硅的形成,晶体结构和性质
机译:在硅上生长的应变硅化hol硅纳米岛的中能离子散射研究(100)
机译:硅衬底上可变组成的硅化钙硅化物膜的结构,光学和热电性质的比较
机译:研究了银(100)上沉积的铑,铜(100)上沉积的金和硅(100)上沉积的金的超薄膜的稳定性。
机译:在100硅晶片上的多孔氧化铝模板中生长的高度组织化和密集的垂直硅纳米线阵列
机译:磁控溅射在单晶硅(100)上的氩气和氧离子衬底上生长的氧化钽薄膜中极化态的起始
机译:在p型(100)硅上生长的薄碳膜的显微硬度研究
机译:对沉积在半导体晶片上的氧化硅层上的多晶硅层上方形成的硅化钽或硅化钽层的低压各向异性蚀刻工艺
机译:在(100)面的Si上包括表位的硅化镍膜或在非晶硅上的稳定的硅化镍膜的装置及其制造方法
机译:100器件,包括在100Si上的表位镍硅化物或在非晶硅上的稳定的镍硅化物及其制造方法
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