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符秀丽; 王太宏;
中国科学院物理研究所;
纳米尺寸; 肖特基势垒; 原位电化学方法; 脉冲电镀; 纳米金属点; 半导体;
机译:勘误表:“接触尺寸对纳米级金属-半导体界面处肖特基势垒和欧姆接触形成的作用” [J.应用物理111(6),064302(2012)]
机译:接触尺寸对纳米级金属-半导体界面处肖特基势垒和欧姆接触形成的作用
机译:InP上无钉扎肖特基势垒的形成及相关原位电化学方法制备的金属材料及其制备方法机制
机译:理解金属/半导体肖特基接触的电性能:块体和纳米级结构中势垒不均匀性和几何形状的影响。
机译:金属-半导体接触的重要性肖特基势垒晶体管的研究:几层黑色的案例研究磷?
机译:通过金属辅助化学蚀刻制备的硅纳米线场效应晶体管中的肖特基势垒降低
机译:金属电极和半导体碳纳米管结合氧化的肖特基势垒调制模型
机译:肖特基势垒量子阱谐振隧道晶体管的尺寸比金属氧化物半导体场效应晶体管小,并且封装密度高
机译:电化学法制备碳纳米管取向金属或金属氧化物纳米结构的三维网络
机译:制备金属硅硅肖特基势垒的方法
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