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陈志强; 潘兰芳; 吴秀山; 吴晓波;
中国计量学院机电工程学院;
浙江大学VLSI设计研究所;
功耗估算; 泄漏功耗; SRAM; 功耗模型;
机译:低功耗10晶体管SRAM单元在90 nm技术中的泄漏分析
机译:采用65 nm超低功耗CMOS技术的1.1 GHz 12μA/ Mb泄漏SRAM设计,并具有针对移动应用的集成式减少泄漏功能
机译:65NM超低功耗CMOS中的1.1GHz12μA/ MB泄漏SRAM设计,具有用于移动应用的集成泄漏减少
机译:低功耗和工艺变化感知型SRAM和Cache在SRAM电路,架构和组织中的设计容错能力。
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:低功耗和专用sRam设计,用于节能运动估算
机译:低功耗电源的功耗估算与综合。
机译:用于铸造的泄漏发生率估算方法和泄漏发生率估算装置,利用泄漏发生率估算程序存储的存储介质,铸造的设计方法和生产方法以及通过泄漏发生率估算方法产生的自动传输情况
机译:气体泄漏位置估算装置,气体泄漏位置估计系统,气体泄漏位置估算方法和气体泄漏位置估算程序
机译:内存泄漏分析设备,内存泄漏分析系统,内存泄漏分析方法和内存泄漏分析程序
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