机译:低功耗10晶体管SRAM单元在90 nm技术中的泄漏分析
Department of Information and Communication Engineering, Anna University, Chennai, India;
Department of Electronics and Instrumentation Engineering, Bannari Amman Institute of Technology, Sathyamangalam, India;
SRAM; Transmission Gate; Subthreshold Leakage; Gate Leakage; Read Access Time; Write Access Time;
机译:低功耗10晶体管SRAM单元在90 nm技术中的泄漏分析
机译:较大的“读取”和“写入”裕度,低泄漏功率,六晶体管90nm CMOS SRAM
机译:低功耗近阈值10T SRAM位单元,具有增强的与数据无关的读取端口泄漏功能,用于32nm CMOS阵列增强
机译:采用90nm CMOS技术的新型功率门控SRAM单元,具有低漏电流和高数据稳定性,适用于睡眠模式
机译:采用7NM FinFET技术的SRAM单元的漏电攻击恢复设计
机译:通过低功率激光照射(635nm和780nm)调节Jurkat E6.1 T淋巴细胞白血病细胞系中热激蛋白70和90的表达
机译:90nm和65nm技术在常规6TSRAM位细胞中温度和VDD对漏电流影响的分析