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艾伟伟; 郭霞; 刘斌; 宋颖娉; 刘莹; 沈光地;
北京工业大学光电子技术实验室;
氮化镓; 发光二极管; 退化机理; 可靠性;
机译:通过p-GaN选择性湿法刻蚀来提高GaN基发光二极管的可靠性
机译:金属纳米颗粒应用于GaN基发光二极管的研究进展
机译:通过将TiO_2纳米粒子掺杂到硅树脂封装中来进行GaN基蓝色发光二极管的可靠性测试
机译:静电放电对GaN基蓝色发光二极管的载流子动力学和可靠性特性的影响
机译:GaN基发光二极管和垂直腔表面发射激光器的量子效率增强。
机译:无需预激活p型GaN的GaN基发光二极管的制造和表征
机译:Nichia alGaN / InGaN / GaN蓝色发光二极管的寿命试验
机译:使用GaN衬底作为生长衬底的GaN基发光二极管和包括该衬底的发光器件
机译:使用GaN基质作为生长基质的GaN基发光二极管
机译:基于GaN的发光二极管芯片以及具有基于GaN的发光二极管芯片的发光二极管组件的制造方法
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