p型透明导电Cu-Al-O薄膜的直流共溅射法制备

摘要

采用Cu靶和Al靶直流共溅射法制备了p型透明导电Cu-Al-O薄膜。用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计对样品进行了表征。结果表明,对所制备的p型透明导电Cu-Al-O薄膜经高温退火后,其结晶质量和导电性能均有一定提高,薄膜在可见光区的平均透过率接近70%,禁带宽度约为3.75 eV。