MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响

摘要

在大规模集成电路的制造过程中,MOCVDTiN因为其优良的覆盖性能和一致性而被广泛用作W和Al材料的扩散阻挡层和连接层材料。本文介绍了MOCVDTiN厚度对于W填充能力的影响。