微LED显示基板CMP过程中铜/钛/TEOS的去除速率选择比优化

摘要

微LED显示技术因其发光点小、响应速度快等优点而被誉为“终极显示技术”,而芯片加工技术限制了其规模化应用。芯片加工过程中产生的碟形缺陷会严重影响芯片的发光特性和可靠性。采用化学机械抛光(CMP)方法对钛(Ti)作为阻挡层的微显示器基板进行有效的表面平坦化处理,发现引入柠檬酸钾(KCit)可以有效降低碟形缺陷深度。结果表明,在双氧水-柠檬酸钾体系下,可以将铜/钛/正硅酸乙酯(TEOS)去除速率选择比控制在1∶1.9∶1.7,最终修正后的碟型缺陷深度均在20 nm以下,满足工业应用要求。