Department of Chemical Engineering University of California, San Diego, California 92093, USA;
机译:基于传感器的浆料化学模型对铜CMP工艺中材料去除率(MRR)的影响
机译:CMP浆料化学添加剂对铜的表面力学性能和材料去除的影响
机译:CMP浆料化学添加剂对铜的表面力学性能和材料去除的影响
机译:使用铜表面纳米型建模铜CMP材料去除率
机译:考虑去除材料协同作用的铜化学机械平面化(CMP)的物理化学建模。
机译:纳米切削过程中流体介质对单晶铜材料去除和表面缺陷演变的影响
机译:铜CMP的材料去除和后处理表面形貌模型