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张敬明郑宝真李东姝田慧良;
中国科学院半导体研究所;
机译:8至12μm宽条形几何质子轰击双异质结构(Al,Ga)As激光器之间的寿命比较
机译:垂直-外腔表面发射激光器中具有Gaas,藻类和Gaas势垒的Ingaas应变量子阱的增益特性
机译:改进的太赫兹装置的特性,该装置由质子轰击的GaAs光电导材料制成的发射器和检测器
机译:质子轰击GaAs垂直腔面发射激光器的电学特性
机译:增益导引的GaAs量子阱半导体激光器的表征
机译:GaAsBi / GaAs量子阱二极管激光器中的光学增益
机译:高度堆叠的InAs / GaAs量子点激光器件中电致发光的偏振特性和净模态增益
机译:n(加)-Gaas中的多能质子轰击。
机译:GaAs基激光器的方法和GaAs基激光器
机译:基于GaAs的激光器的方法和基于GaAs的激光器
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