npnpGa1-xAlxAs负阻发光二极管多功能器件（1）

摘要

采用多层异质液相外延技术,制出了具有开关、存储、发光等多种功能的npnp Ga1-xAlxAs负阻发光二极管。其典型参数为:阈值电压Vth5—50V,阈值电流Ith＜1mA,保持电压Vk～1.8V,保持电流Ik＜3mA,反向击穿电压VB40—100V,反向漏电流IL＜10μA,响应速度τ1～5μs,当使用电流10mA,使用电压～1.8V时,总光通量为2—3mlum。光谱峰值一般在6700A左右,半宽度约为200A。文中,还根据一般晶体管原理和半导体发光原理,综合考虑器件应具有的电学和光学特性,分析了器件各部份的作用,据此设计了器件的能带结构和主要参数,确定了工艺制备条件。最后对实验结果进行了测定与分析。