液相外延生长GaInAsP/InP双异质结的研究

摘要

本文报导在（100）晶向InP衬底上,液相外延生长（λ=1.0～1.31μm）GaInAsP/InP双异质结的研究结果。测定了600—670℃温度范围内InP在In中的饱和溶解度,研究了Te、Sn和Zn、Mg等掺杂剂的行为。用X光双晶衍射法研究了GaInAsP/InP异质结的晶格失配,用扫描电镜电子束感生电流法和电化学C-V法研究了外延片中p-n结偏位现象。用光吸收法测试外延片吸收边,估算了外延片中四元层的禁带宽度,并与制管后的发光波长作了比较。外延片可制得发光波长1.0～1.3μm、功率达1mw（100mA工作电流）的光通讯用小面积发光二极管。