高性能ZnSnO∶Li/ZnSnO双有源层TFT电学性能的研究

摘要

双有源层以迁移率高、开关比高、大面积均匀性好等优点成为近年研究热点。采用射频磁控溅射方法，制备了ZnSnO∶Li/ZnSnO薄膜晶体管（TFT）,对其电学特性进行了测试，并研究了器件迁移率提高的原因及其内在的微观机制。研究发现，ZTO∶Li/ZTO TFT表现出了良好的电学特性，其场效应迁移为率为13.98 cm~2/（V·s）,亚阈值摆幅为0.84 V/dec,开关比为1.13×10~9。通过XPS对其薄膜进行分析发现，Li的引入导致薄膜中氧和金属结合键的浓度增加，氧空位浓度减少，从而使得TFT的迁移率增大，开关比增大，亚阈值摆幅减小。