有源层厚度对柔性AZO-TFT电学性能的影响

摘要

在室温下,采用射频磁控溅射法在聚酰亚胺(Polyimide PI)衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,AZO薄膜厚度分别为53 nm,62 nm,79 nm,94 nm。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)测试分析了不同厚度AZO薄膜的表面形貌、晶粒生长情况,并利用半导体参数仪对柔性AZO-TFT的电学性能进行了测试,研究了有源层厚度对柔性AZO-TFT电学性能的影响。结果表明:AZO薄膜为非晶结构,随着薄膜厚度的增加,薄膜成膜质量提高,均匀致密,当厚度为79 nm时器件获得最佳性能,其饱和迁移率达到2.21 cm^(2)·(Vs),开关比为6.62×10^(4),亚阈值摆幅为1.31 V·dec,阈值电压为10.76 V。