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刘鹿生; 颜学能;
机译:集成有增强模式(E模式)MOSFET和耗尽型(D模式)HEMT的GaN基逆变器的高温特性
机译:具有双栅操作的完全耗尽型绝缘体上硅基扩展栅场效应晶体管的增强的传感特性
机译:增强/耗尽型双δ掺杂AlGaAs / InGaAs pHEMT的温度相关特性及其单片DCFL集成
机译:用于GaN数字集成电路的增强型和耗尽型AlGaN / GaN HEMT的单片集成
机译:开关DC-DC转换器的差分增强型占空比纹波控制的设计与特性。
机译:通过合理设计增强肉毒杆菌神经毒素血清型A蛋白酶抑制剂的药代动力学特性
机译:N-(呋喃-2-基甲基)-N-甲基丙-2-炔-1-胺(F2MPA):具有MAO抑制剂特性的潜在认知增强剂
机译:耗尽型六氟化铀转化厂的前概念设计研究和成本数据
机译:具有增强型和耗尽型FET的集成电路-通过布局修改可同时生产两种类型的集成电路,而无需额外的照相阶段
机译:具有增强型和耗尽型晶体管的单分子微波集成电路
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