GaInAsP/InP双异质结激光器及其集成化所需要的制作技术

摘要

＜正＞ 为了获得集成的GaxIn1-xAsyP1-y/InP激光器,研究了液相外延和湿法化学腐蚀技术。实现了在沟道的（100）InP衬底上GaInAsP层的选择性生长。发现了一种新的化学腐蚀剂,用它腐蚀InP和GaInAsP时,能得到平滑的表面和垂直的断面。利用这种腐蚀技术,制作了断面和条形结构。研究了同质隔离条形（HIS）双异质结激光器。在1.22μm室温振荡波长附近,测得激射波长的色散为±1.2％。还测量了温度与复合寿命τs的依赖关系,当温度变化时,发现τs∝1/Jth1/2。